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MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
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  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 4G PARALLEL FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
  • Modèle ECAD
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb
    Lead free
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F

MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F

La description: IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G08ABAEAWP:E

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F

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La description: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G08ABAEAM70M3WC1

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La description: SLC 4G DIE 512MX8

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D

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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

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La description: SLC 4G DIE 512MX8

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

Fabricant: Micron Technology
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MT29F4G08ABAEAWP-IT:E

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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

Fabricant: Micron Technology
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