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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
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MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH 512G PARALLEL 267MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    2.7 V ~ 3.6 V
  • La technologie
    FLASH - NAND
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR-ND
    MT29F512G08ELCDBG7-37ES:DTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    512Gb (64G x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) Parallel 267MHz
  • Fréquence d'horloge
    267MHz

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR".
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR

MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10ES:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

MT29F64G08ABEBBH6-12:B TR

La description: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

La description: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B

La description: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

La description: TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

MT29F512G08EMCBBJ5-10:B

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

MT29F512G08EKCBBJ5-6:B

La description: NAND FLASH

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6IT:B TR

La description: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

La description: IC FLASH 64G PARALLEL 167MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F64G08ABEBBH6-12:B

MT29F64G08ABEBBH6-12:B

La description: IC FLASH 64G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

La description: IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

Fabricant: Micron Technology
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