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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.8V
  • La technologie
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR-ND
    MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80ETR
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH, RAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • Fréquence d'horloge
    533MHz

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MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

La description: IC FLASH 8G DDR

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

La description: MASSFLASH/LPDDR2 6G

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

La description: IC FLASH 1.5G DDR

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

La description: IC FLASH 8G DDR

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

La description: IC FLASH 1.5G DDR

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

La description: IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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