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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.8V
  • La technologie
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
  • Séries
    -
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Autres noms
    557-1640-6
  • Température de fonctionnement
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Non-Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    FLASH, RAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
  • Fréquence d'horloge
    533MHz
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E

La description: IC FLASH 6G DDR2

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR

La description: IC FLASH 8G DDR

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR

La description: IC FLASH 8G DDR2

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2

MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2

La description: IC FLASH 8G DDR2

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

La description: MASSFLASH/LPDDR2 6G

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U

La description: IC FLASH 8G DDR

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR

MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR

La description: IC FLASH 6G DDR2

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

La description: IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR

La description: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

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