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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT38W201DAA033JZZI.X68 TR
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MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT38W201DAA033JZZI.X68 TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Séries
    *
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Autres noms
    MT38W201DAA033JZZI.X68 TR-ND
    MT38W201DAA033JZZI.X68TR
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Memory IC

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Expédition
Paiement
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MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

La description: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

La description: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

La description: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity
En stock
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

La description: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity
En stock
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

La description: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

La description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

La description: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity
En stock
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

La description: PARALLEL/PSRAM 48M

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

La description: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

La description: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6

MT38M5041A3034EZZI.XR6

La description: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

La description: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

La description: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

La description: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

La description: PARALLEL/PSRAM 80M

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
RFQ
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