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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - RF > MT3S113TU,LF
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2336958MT3S113TU,LF imageToshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

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$0.243
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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT3S113TU,LF
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    5.3V
  • Transistor Type
    NPN
  • Package composant fournisseur
    UFM
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    900mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    3-SMD, Flat Leads
  • Autres noms
    MT3S113TU,LF(B
    MT3S113TULF
    MT3S113TULF(B
    MT3S113TULFTR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    12 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gain
    12.5dB
  • Fréquence - Transition
    11.2GHz
  • Description détaillée
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 11.2GHz 900mW Surface Mount UFM
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

La description: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

La description: PARALLEL/PSRAM 80M

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

La description: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

La description: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

La description: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3B30C4

MT3B30C4

La description: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity
En stock
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

La description: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

La description: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

La description: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

La description: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

La description: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

La description: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

La description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
En stock
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

La description: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3B3024

MT3B3024

La description: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity
En stock
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

La description: PARALLEL/PSRAM 48M

Fabricant: Micron Technology
En stock
MT3B6115

MT3B6115

La description: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Fabricant: Agastat Relays / TE Connectivity
En stock

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