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MT41K512M8V90BWC1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT41K512M8V90BWC1
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Séries
    -
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "MT41K512M8V90BWC1".
MT41K64M16TW-107 AUT:J

MT41K64M16TW-107 AUT:J

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 933MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G

MT41K64M16JT-15E:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

La description: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16TW-107 AIT:J

MT41K64M16TW-107 AIT:J

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

MT41K64M16TW-107 AAT:J TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16TW-107 AAT:J

MT41K64M16TW-107 AAT:J

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16JT-15E:G TR

MT41K64M16JT-15E:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

MT41K64M16TW-107 AUT:J TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

La description: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K64M16JT-125:G TR

MT41K64M16JT-125:G TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125:E TR

MT41K512M8RH-125:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

MT41K64M16TW-107 AIT:J TR

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K64M16JT-125:G

MT41K64M16JT-125:G

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
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