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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT41K512M8RH-125 V:E TR
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3255591MT41K512M8RH-125 V:E TR imageMicron Technology

MT41K512M8RH-125 V:E TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT41K512M8RH-125 V:E TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT41K512M8RH-125 V:E TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.283 V ~ 1.45 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR3L
  • Package composant fournisseur
    78-FBGA (9x10.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    78-TFBGA
  • Autres noms
    MT41K512M8RH-125 V:E TR-ND
    MT41K512M8RH-125V:ETR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (512M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA (9x10.5)
  • Fréquence d'horloge
    800MHz
  • Temps d'accès
    13.75ns

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Paiement
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MT41K512M8RH-125:E

MT41K512M8RH-125:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 IT:E TR

MT41K512M8RH-125 IT:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 V:E

MT41K512M8RH-125 V:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8V80AWC1

MT41K512M8V80AWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8V00HWC1-N002

MT41K512M8V00HWC1-N002

La description: IC DRAM 4G PARALLEL

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 IT:E

MT41K512M8RH-125 IT:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 AIT:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 AIT:E

MT41K512M8RH-125 AIT:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 M:E

MT41K512M8RH-125 M:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 XIT:E

MT41K512M8RH-125 XIT:E

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

MT41K512M8RH-125 AAT:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT41K512M8V00HWC1

MT41K512M8V00HWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL DIE

Fabricant: Micron Technology
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MT41K512M8RH-125 M:E TR

MT41K512M8RH-125 M:E TR

La description: IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA

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MT41K512M8RH-125:E TR

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MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

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MT41K512M8THD-15E:D

MT41K512M8THD-15E:D

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MT41K512M8RH-125 M AIT:E

MT41K512M8RH-125 M AIT:E

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MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001

La description: IC DRAM 4G PARALLEL

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MT41K512M8V90BWC1

MT41K512M8V90BWC1

La description: IC DRAM 4G PARALLEL

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