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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT46H16M32LFCM-6:B TR
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2147015MT46H16M32LFCM-6:B TR imageMicron Technology

MT46H16M32LFCM-6:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46H16M32LFCM-6:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT46H16M32LFCM-6:B TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    90-VFBGA (10x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    90-VFBGA
  • Autres noms
    557-1381-2
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    2 (1 Year)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (16M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (10x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46H16M32
  • Temps d'accès
    5.0ns

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MT46H16M32LFCX-5:B

MT46H16M32LFCX-5:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCX-6 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCX-6 IT:B

MT46H16M32LFCX-6 IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR

MT46H16M32LFCM-5 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

MT46H16M32LFCM-6 L IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCG-6 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 152VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCX-5:B TR

MT46H16M32LFCX-5:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-5 IT:B

MT46H16M32LFCM-5 IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-5:B TR

MT46H16M32LFCM-5:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR

MT46H16M32LFCM-6 L IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFT67M-N1003

MT46H16M32LFT67M-N1003

La description: IC SDRAM MOBILE DDR 512M

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-6 IT TR

MT46H16M32LFCM-6 IT TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR

MT46H16M32LFCM-6 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCX-6:B

MT46H16M32LFCX-6:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR

MT46H16M32LFCX-5 IT:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H16M32LFCX-6:B TR

MT46H16M32LFCX-6:B TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H16M32LFCX-5 IT:B

MT46H16M32LFCX-5 IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-6 TR

MT46H16M32LFCM-6 TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCM-75 IT

MT46H16M32LFCM-75 IT

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H16M32LFCG-6 IT:B

MT46H16M32LFCG-6 IT:B

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 152VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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