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5968196MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR imageMicron Technology

MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    12ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.95 V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Package composant fournisseur
    90-VFBGA (8x13)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    90-VFBGA
  • Autres noms
    557-1279-2
    MT46H8M32LFB5-6 IT:A TR-ND
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (8M x 32)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46H8M32
  • Temps d'accès
    5.0ns

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MT46H8M32LFB5-6:H

MT46H8M32LFB5-6:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V128M4BN-6:F

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M32LFB5-6:A TR

MT46H8M32LFB5-6:A TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M16LFCF-75 IT

MT46H8M16LFCF-75 IT

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V128M4BN-5B:F

MT46V128M4BN-5B:F

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M16LFCF-75

MT46H8M16LFCF-75

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V128M4BN-5B:F TR

MT46V128M4BN-5B:F TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M16LFCF-10 TR

MT46H8M16LFCF-10 TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M32LFB5-5:H

MT46H8M32LFB5-5:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M32LFB5-6 IT:H

MT46H8M32LFB5-6 IT:H

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46H8M16LFCF-10 IT TR

MT46H8M16LFCF-10 IT TR

La description: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT46V128M4BN-6:D TR

MT46V128M4BN-6:D TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT46H8M32LFB5-5:H TR

MT46H8M32LFB5-5:H TR

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

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La description: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

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MT46V128M4BN-6:D

MT46V128M4BN-6:D

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT46H8M32LFB5-5 IT:H

MT46H8M32LFB5-5 IT:H

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MT46H8M32LFB5-5 IT:H TR

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MT46H8M32LFB5-75:A TR

MT46H8M32LFB5-75:A TR

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MT46H8M16LFCF-10 IT

MT46H8M16LFCF-10 IT

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