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5303352MT46V128M4FN-6:D TR imageMicron Technology

MT46V128M4FN-6:D TR

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    MT46V128M4FN-6:D TR
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA (10x12.5)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Autres noms
    557-1012-1
    MT46V128M4FN6DTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (128M x 4)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 167MHz 700ps 60-FBGA (10x12.5)
  • Fréquence d'horloge
    167MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46V128M4
  • Temps d'accès
    700ps
MT46V128M4P-5B:J TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

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MT46V128M4BN-6:F

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MT46V128M4BN-75:D

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MT46V128M4P-5B:F TR

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MT46V128M4FN-6:F TR

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MT46V128M4FN-75Z:D

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MT46V128M4P-5B:J

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MT46V128M4FN-75:D

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