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MT46V128M4P-5B:J TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT46V128M4P-5B:J TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT46V128M4P-5B:J TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.5 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Autres noms
    MT46V128M4P-5B:J TR-ND
    MT46V128M4P-5B:JTR
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (128M x 4)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT46V128M4
  • Temps d'accès
    700ps

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MT46V128M4FN-6:F TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V128M4FN-75Z:D

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V128M4P-75:D TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V128M4P-6T:D TR

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MT46V128M4FN-75:D

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V128M4TG-5B:D TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT46V128M4P-5B:F TR

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MT46V128M4FN-6:D TR

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MT46V128M4FN-75Z:D TR

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MT46V128M4FN-75:D TR

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MT46V128M4P-6T:F TR

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MT46V128M4P-6T:F

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MT46V128M4TG-5B:F TR

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MT46V128M4P-5B:D TR

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MT46V128M4P-5B:F

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MT46V128M4P-75:D

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MT46V128M4P-5B:J

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