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2133892MT47H64M8CB-5E:B imageMicron Technology

MT47H64M8CB-5E:B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H64M8CB-5E:B
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    60-FBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H64M8
  • Temps d'accès
    600ps
MT47H64M8CF-25E AIT:G

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MT47H64M8CF-187E:G

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MT47H64M8CB-37E:B

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MT47H64M8CF-25E IT:G TR

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MT47H64M8CB-37V:B

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