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4536983MT47H64M8JN-25E:G imageMicron Technology

MT47H64M8JN-25E:G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H64M8JN-25E:G
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT47H64M8JN-25E:G.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Package composant fournisseur
    60-FBGA (8x10)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    60-TFBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (8x10)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Numéro de pièce de base
    MT47H64M8
  • Temps d'accès
    400ps

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MT47H64M8CF-25E IT:G TR

MT47H64M8CF-25E IT:G TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47R256M4CF-3:H

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT47H64M8CF-187E:G

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47R256M4CF-25E:H

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8CF-25E L:G

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8SH-187E:H TR

MT47H64M8SH-187E:H TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

MT47H64M8SH-25E AAT:H TR

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8CF-25E IT:G

MT47H64M8CF-25E IT:G

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Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8CF-25E L:G TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8CF-25E AIT:G

MT47H64M8CF-25E AIT:G

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8CF-25E:G

MT47H64M8CF-25E:G

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8CF-25E AIT:G TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47H64M8SH-25E AIT:H

MT47H64M8SH-25E AIT:H

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E IT:H

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47R128M8CF-25:H

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H64M8SH-25E:H

MT47H64M8SH-25E:H

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H64M8CF-25E:G TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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MT47H64M8SH-25E AAT:H

MT47H64M8SH-25E AAT:H

La description: IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ

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MT47R128M8CF-3:H

MT47R128M8CF-3:H

La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT47H64M8JN-25E IT:G

MT47H64M8JN-25E IT:G

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