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MT47H64M8SH-25E AAT:H

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT47H64M8SH-25E AAT:H
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR2
  • Séries
    -
  • Autres noms
    MT47H64M8SH-25E AAT:H-ND
    MT47H64M8SH-25EAAT:H
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    512Mb (64M x 8)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Temps d'accès
    400ps

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Paiement
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MT47R128M8CF-25:H

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La description: IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT47R256M4CF-3:H

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Fabricant: Micron Technology
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MT47H64M8CF-25E:G

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MT47H64M8SH-25E:H

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MT47H64M8SH-25E AIT:H

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MT47H64M8CF-25E L:G TR

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MT47H64M8SH-25E IT:H

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MT47R256M8EB-25E:C

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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MT47R512M4EB-25E:C

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La description: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

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