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4029689MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR imageMicron Technology

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR.pdf
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.7 V ~ 1.9 V
  • La technologie
    DRAM
  • Package composant fournisseur
    144-FBGA (18.5x11)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    144-TFBGA
  • Autres noms
    MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR-ND
    MT49H32M18CSJ-25EIT:BTR
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    576Mb (32M x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    DRAM Memory IC 576Mb (32M x 18) Parallel 400MHz 15ns 144-FBGA (18.5x11)
  • Fréquence d'horloge
    400MHz
  • Temps d'accès
    15ns

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MT49H32M18CFM-25:B

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La description: IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT49H32M18FM-33:B

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Fabricant: Micron Technology
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MT49H32M18CFM-25E:B

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Fabricant: Micron Technology
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MT49H32M18FM-25E:B

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MT49H32M18CSJ-25E IT:B

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Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT49H32M18CFM-18:B TR

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MT49H32M18CFM-25E:B TR

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Fabricant: Micron Technology
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MT49H32M18FM-25:B

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MT49H32M18SJ-18:B

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MT49H32M18FM-33:B TR

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MT49H32M18CSJ-18:B TR

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MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

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MT49H32M18FM-25E:B TR

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MT49H32M18CSJ-25E:B

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MT49H32M18CFM-18:B

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