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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
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MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT53B128M32D1DS-062 AUT:A
  • Fabricant / marque
    Micron Technology
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 4G 1600MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.1V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Séries
    -
  • Autres noms
    MT53B128M32D1DS-062 AUT:A-ND
    MT53B128M32D1DS-062AUT:A
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 125°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    4Gb (128M x 32)
  • Interface mémoire
    -
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 4Gb (128M x 32) 1600MHz
  • Fréquence d'horloge
    1600MHz

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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 WT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1Z00NEC2

MT53B128M32D1Z00NEC2

La description: LPDDR4 4G DIE 128MX32

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

La description: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
En stock
RFQ
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

La description: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

La description: IC DRAM 4G 1866MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

La description: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 WT:A

MT53B128M32D1NP-062 WT:A

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

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RFQ
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

La description: IC DRAM 64G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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RFQ
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

La description: IC DRAM 4G 1600MHZ

Fabricant: Micron Technology
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