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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
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MT53D1G64D8NZ-046 WT:E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MT53D1G64D8NZ-046 WT:E
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 64G 2133MHZ
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.1V
  • La technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Séries
    -
  • Autres noms
    MT53D1G64D8NZ-046 WT:E-ND
    MT53D1G64D8NZ-046WT:E
  • Température de fonctionnement
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    64Gb (1G x 64)
  • Interface mémoire
    -
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 64Gb (1G x 64) 2133MHz
  • Fréquence d'horloge
    2133MHz
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

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La description: IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA

Fabricant: Micron Technology
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MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR

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La description: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

Fabricant: Micron Technology
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MT53D1G64D8NW-062 WT:D

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Fabricant: Micron Technology
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La description: IC DRAM 64G 2133MHZ

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MT53D2048M32D8QD-053 WT ES:D TR

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La description: IC DRAM 64G 1866MHZ FBGA

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La description: LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

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