Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT10045B2LLG
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
419067APT10045B2LLG imageMicrosemi

APT10045B2LLG

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    APT10045B2LLG
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    1.APT10045B2LLG.pdf
    2.APT10045B2LLG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    T-MAX™ [B2]
  • Séries
    POWER MOS 7®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 11.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    565W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3 Variant
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4350pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    154nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1000V
  • Description détaillée
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 565W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    23A (Tc)

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT10045B2LLG".
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

La description: MOD DIODE 600V SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10035B2FLLG

APT10035B2FLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1002RBNG

APT1002RBNG

La description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10035B2LLG

APT10035B2LLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100F50J

APT100F50J

La description: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100DL60BG

APT100DL60BG

La description: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1001RBN

APT1001RBN

La description: MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10021JLL

APT10021JLL

La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10045JLL

APT10045JLL

La description: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT1003RBLLG

APT1003RBLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10035LLLG

APT10035LLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT10078SLLG

APT10078SLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10078BLLG

APT10078BLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10035JLL

APT10035JLL

La description: MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

La description: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10021JFLL

APT10021JFLL

La description: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT10090BLLG

APT10090BLLG

La description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

La description: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.