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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT150GN60LDQ4G
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2552781APT150GN60LDQ4G imageMicrosemi

APT150GN60LDQ4G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT150GN60LDQ4G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 220A 536W TO-264L
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APT150GN60LDQ4G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Condition de test
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    44ns/430ns
  • énergie de commutation
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-264 [L]
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    536W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-264-3, TO-264AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • gate charge
    970nC
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole TO-264 [L]
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    450A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    220A

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT150GN60LDQ4G".
APT150GN120J

APT150GN120J

La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D30KG

APT15D30KG

La description: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220-2

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D120BG

APT15D120BG

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

La description: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D100KG

APT15D100KG

La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

La description: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14M120B

APT14M120B

La description: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D120KG

APT15D120KG

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D40BCTG

APT15D40BCTG

La description: DIODE ARRAY GP 400V 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D100BG

APT15D100BG

La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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