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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APT14M120B
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1131353APT14M120B imageMicrosemi

APT14M120B

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT14M120B
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APT14M120B.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-247 [B]
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2 Ohm @ 7A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    625W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3
  • Autres noms
    APT14M120BMI
    APT14M120BMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    17 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4765pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    145nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1200V
  • Description détaillée
    N-Channel 1200V 14A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    14A (Tc)

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APT14M120B".
APT150GN60B2G

APT150GN60B2G

La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GT120JR

APT150GT120JR

La description: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14F100S

APT14F100S

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT13F120S

APT13F120S

La description: MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

La description: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN60J

APT150GN60J

La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT13F120B

APT13F120B

La description: MOSFET N-CH 1200V 14A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN120J

APT150GN120J

La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14M100B

APT14M100B

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D100BG

APT15D100BG

La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14M100S

APT14M100S

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT13GP120BDQ1G

APT13GP120BDQ1G

La description: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT13GP120BG

APT13GP120BG

La description: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT13GP120KG

APT13GP120KG

La description: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Fabricant: Microsemi
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RFQ
APT14050JVFR

APT14050JVFR

La description: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APT14F100B

APT14F100B

La description: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Fabricant: Microsemi
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RFQ
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