APT35GA90BD15

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Spécifications

Modèle de produit

APT35GA90BD15
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 900V 63A 290W TO247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT35GA90BD15.pdf
2.APT35GA90BD15.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

900V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 18A
Condition de test

600V, 18A, 10 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

12ns/104ns
énergie de commutation

642µJ (on), 382µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

-
Puissance - Max

290W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3
Autres noms

APT35GA90BD15MI
APT35GA90BD15MI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

28 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

84nC
Description détaillée

IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

105A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

63A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT35GA90BD15".

APT34M120J

La description: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Fabricant: Microsemi

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