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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > APT35GP120B2DQ2G
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APT35GP120B2DQ2G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    APT35GP120B2DQ2G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 1200V 96A 543W TMAX
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    1200V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Condition de test
    600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    16ns/95ns
  • énergie de commutation
    750µJ (on), 680µJ (off)
  • Séries
    POWER MOS 7®
  • Puissance - Max
    543W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-247-3 Variant
  • Autres noms
    APT35GP120B2DQ2GMI
    APT35GP120B2DQ2GMI-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    PT
  • gate charge
    150nC
  • Description détaillée
    IGBT PT 1200V 96A 543W Through Hole
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    140A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    96A
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

La description: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Fabricant: Microsemi
En stock
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

La description: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

La description: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GP120J

APT35GP120J

La description: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT36GA60B

APT36GA60B

La description: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GA90B

APT35GA90B

La description: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35SM70S

APT35SM70S

La description: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GP120BG

APT35GP120BG

La description: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

La description: IGBT 900V 63A 290W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT34M60B

APT34M60B

La description: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

La description: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GN120BG

APT35GN120BG

La description: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT34M120J

APT34M120J

La description: MOSFET N-CH 1200V 34A SOT-227

Fabricant: Microsemi
En stock
APT34F60BG

APT34F60BG

La description: MOSFET N-CH 600V 34A TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

La description: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Fabricant: Microsemi
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APT35SM70B

APT35SM70B

La description: MOSFET N-CH 700V TO247

Fabricant: Microsemi
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APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

La description: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Fabricant: Microsemi
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APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

La description: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Fabricant: Microsemi
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APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

La description: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Fabricant: Microsemi
En stock
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

La description: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Fabricant: Microsemi
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