APTGF660U60D4G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGF660U60D4G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 860A 2800W D4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTGF660U60D4G.pdf
2.APTGF660U60D4G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 800A
Package composant fournisseur

D4
Séries

-
Puissance - Max

2800W
Package / Boîte

D4
Température de fonctionnement

-
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

36nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Single 600V 860A 2800W Chassis Mount D4
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

860A
Configuration

Single

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Ce qui suit est des produits liés à "APTGF660U60D4G".

APTGF50TA120PG

La description: IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P

Fabricant: Microsemi

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