APTGF75SK60D1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGF75SK60D1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 100A 355W D1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGF75SK60D1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur

D1
Séries

-
Puissance - Max

355W
Package / Boîte

D1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Single 600V 100A 355W Chassis Mount D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100A
Configuration

Single

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APTGF75DA60D1G

La description: IGBT 600V 100A 355W D1

Fabricant: Microsemi

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