APTGT50DH60TG

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT50DH60TG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGT50DH60TG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

SP4
Séries

-
Puissance - Max

176W
Package / Boîte

SP4
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

80A
Configuration

Asymmetrical Bridge

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGT50DH60TG".

APTGT50DA170D1G

La description: IGBT 1700V 70A 310W D1

Fabricant: Microsemi

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