APTGT50H60T2G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT50H60T2G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOD IGBT 600V 80A SP2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

SP2
Séries

-
Puissance - Max

176W
Package / Boîte

SP2
Température de fonctionnement

-
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP2
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

80A
Configuration

Full Bridge Inverter

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Ce qui suit est des produits liés à "APTGT50H60T2G".

APTGT50TDU60PG

La description: IGBT MOD TRIPLE DUAL SOURCE SP6P

Fabricant: Microsemi

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