APTGT75A120D1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT75A120D1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur

D1
Séries

-
Puissance - Max

357W
Package / Boîte

D1
Température de fonctionnement

-
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

5345nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 110A 357W Chassis Mount D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

4mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

110A
Configuration

Half Bridge

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APTGT75DA120T1G

La description: IGBT 1200V 110A 357W SP1

Fabricant: Microsemi

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