APTGT75DA120T1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT75DA120T1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 1200V 110A 357W SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTGT75DA120T1G.pdf
2.APTGT75DA120T1G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Puissance - Max

357W
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

5.34nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

250µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

110A
Configuration

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGT75DA120T1G".

APTGT75DH60TG

La description: IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

Fabricant: Microsemi

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