APTM100DA18T1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM100DA18T1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM100DA18T1G.pdf
2.APTM100DA18T1G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

216 mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max)

657W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

570nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 40A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

40A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APTM100DA18T1G".

APTM100A23SCTG

La description: MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Fabricant: Microsemi

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