APTM100H35FT3G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM100H35FT3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM100H35FT3G.pdf
2.APTM100H35FT3G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur

SP3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 11A, 10V
Puissance - Max

390W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP3
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

186nC @ 10V
type de FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Description détaillée

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

22A

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APTM100DSK35T3G

La description: MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3

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