APTM100H46FT3G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM100H46FT3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTM100H46FT3G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur

SP3
Séries

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

552 mOhm @ 16A, 10V
Puissance - Max

357W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP3
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
type de FET

4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

1000V (1kV)
Description détaillée

Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 19A 357W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

19A

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APTM100H80FT1G

La description: MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1

Fabricant: Microsemi

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