Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > APTM120DA30CT1G
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1134623APTM120DA30CT1G imageMicrosemi

APTM120DA30CT1G

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
100+
$66.465
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    APTM120DA30CT1G
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    APTM120DA30CT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SP1
  • Séries
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    657W (Tc)
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SP1
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    14560pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    560nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1200V
  • Description détaillée
    N-Channel 1200V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    31A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip annonce 500 licenciements, avec des coûts de res...

2024/12/4

Quanta: La demande d'IA continue d'être forte, ave...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung réduit considérablement l'utilisation de la p...

2024/12/2

Vishay investira 51 millions de livres sterling dans le NWF...

2024/11/29

La menace tarifaire de Trump, Nvidia, les fournisseurs d...

2024/11/28

Intel recevra 7,86 milliards de dollars de subventions en v...

2024/11/27

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "APTM120DA30CT1G".
APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

La description: MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DA68T1G

APTM120DA68T1G

La description: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120A80FT1G

APTM120A80FT1G

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120A20DG

APTM120A20DG

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DA15G

APTM120DA15G

La description: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DU15G

APTM120DU15G

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DA30T1G

APTM120DA30T1G

La description: MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

La description: MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120H57FT3G

APTM120H57FT3G

La description: MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DA29TG

APTM120DA29TG

La description: MOSFET N-CH 1200V 34A SP4

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120A29FTG

APTM120A29FTG

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120A20SG

APTM120A20SG

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 50A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DA56T1G

APTM120DA56T1G

La description: MOSFET N-CH 1200V 18A SP1

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120A65FT1G

APTM120A65FT1G

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 16A SP1

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120A15FG

APTM120A15FG

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 60A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

La description: MOSFET N-CH 100V 570A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DSK57T3G

APTM120DSK57T3G

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120H29FG

APTM120H29FG

La description: MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
APTM120DDA57T3G

APTM120DDA57T3G

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.