APTM20AM08FTG

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Spécifications

Modèle de produit

APTM20AM08FTG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM20AM08FTG.pdf
2.APTM20AM08FTG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA
Package composant fournisseur

SP4
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 104A, 10V
Puissance - Max

781W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP4
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 200V 208A 781W Chassis Mount SP4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

208A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTM20AM08FTG".

APTM120VDA57T3G

La description: MOSFET 2N-CH 1200V 17A SP3

Fabricant: Microsemi

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