APTM20DHM16T3G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM20DHM16T3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTM20DHM16T3G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur

SP3
Séries

POWER MOS 7®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 52A, 10V
Puissance - Max

390W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP3
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7220pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 104A 390W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

104A

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Ce qui suit est des produits liés à "APTM20DHM16T3G".

APTM20AM08FTG

La description: MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4

Fabricant: Microsemi

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