APTMC60TLM14CAG

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Spécifications

Modèle de produit

APTMC60TLM14CAG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTMC60TLM14CAG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 30mA (Typ)
Package composant fournisseur

SP6
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 150A, 20V
Puissance - Max

925W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP6
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8400pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

483nC @ 20V
type de FET

4 N-Channel (Three Level Inverter)
Fonction FET

Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Description détaillée

Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

219A (Tc)

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APTMC120TAM12CTPAG

La description: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

Fabricant: Microsemi

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