APTML20UM18R010T1AG

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Spécifications

Modèle de produit

APTML20UM18R010T1AG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 109A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTML20UM18R010T1AG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)

480W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9880pF @ 25V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 109A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

109A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTML20UM18R010T1AG".

APTML502UM90R020T3AG

La description: MOSFET 2N-CH 500V 52A SP3

Fabricant: Microsemi

En stock

APTML20UM18R010T1AG

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