Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N5822
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1487446JAN1N5822 imageMicrosemi

JAN1N5822

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$175.86
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N5822
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N5822.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    500mV @ 3A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    40V
  • Package composant fournisseur
    -
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/620
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    B, Axial
  • Autres noms
    1086-15227
    1086-15227-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 125°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Schottky
  • Description détaillée
    Diode Schottky 40V 3A Through Hole
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    100µA @ 40V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    3A
  • Capacité à Vr, F
    -

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N5822".
JAN1N5907

JAN1N5907

La description: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

La description: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

La description: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

La description: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

La description: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

La description: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

La description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

La description: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

La description: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

La description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

La description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

La description: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6045A

JAN1N6045A

La description: TVS DIODE 15V 25.2V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6052A

JAN1N6052A

La description: TVS DIODE 30V 49.9V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

La description: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6051A

JAN1N6051A

La description: TVS DIODE 28V 45.7V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

La description: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

La description: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6047A

JAN1N6047A

La description: TVS DIODE 18V 30.6V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.