JAN1N5809US

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N5809US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N5809US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

875mV @ 4A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

B, SQ-MELF
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/477
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, B
Autres noms

1086-2125
1086-2125-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

6A
Capacité à Vr, F

60pF @ 10V, 1MHz

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N5809US".

JAN1N5806

La description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Fabricant: Microsemi

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