Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Protection des circuits > TVS - Diodes > JAN1N6131US
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
6307678

JAN1N6131US

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
100+
$17.447
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N6131US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N6131US.pdf
  • Tension - inverse (typ)
    86.6V
  • Tension - Clamping (Max) @ Ipp
    158.87V
  • Tension - Réduction (Min)
    99.28V
  • Type
    Zener
  • Package composant fournisseur
    B, SQ-MELF
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protection de ligne électrique
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, B
  • Autres noms
    1086-19525
    1086-19525-MIL
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Courant - Pulse (10 / 1000μs)
    3.14A
  • Capacitance @ Fréquence
    -
  • Canaux bidirectionnels
    1
  • Applications
    General Purpose

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6131US".
JAN1N6133A

JAN1N6133A

La description: TVS DIODE 98.8VWM BPKG AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6130US

JAN1N6130US

La description: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6131

JAN1N6131

La description: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6131A

JAN1N6131A

La description: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6133US

JAN1N6133US

La description: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

La description: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6129A

JAN1N6129A

La description: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6132A

JAN1N6132A

La description: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6129AUS

JAN1N6129AUS

La description: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6133

JAN1N6133

La description: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6129US

JAN1N6129US

La description: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6132

JAN1N6132

La description: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6130

JAN1N6130

La description: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6133AUS

JAN1N6133AUS

La description: TVS DIODE 98.8V 178.8V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6132US

JAN1N6132US

La description: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

La description: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6134

JAN1N6134

La description: TVS DIODE 114V 216.62V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6134A

JAN1N6134A

La description: TVS DIODE 114VWM BPKG AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6130A

JAN1N6130A

La description: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6130AUS

JAN1N6130AUS

La description: TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.