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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N649-1
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JAN1N649-1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N649-1
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N649-1.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    400mA
  • Tension - Ventilation
    DO-35
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/240
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Autres noms
    1086-15995
    1086-15995-MIL
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    JAN1N649-1
  • Description élargie
    Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
  • Configuration diode
    50nA @ 600V
  • La description
    DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1V @ 400mA
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    600V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N649-1".
JAN1N6621

JAN1N6621

La description: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

La description: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

La description: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

La description: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

La description: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

La description: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

La description: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

La description: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

La description: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

La description: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

La description: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

La description: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
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