Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N6620
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
6438695

JAN1N6620

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N6620
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N6620.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.6V @ 2A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    220V
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    30ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    A, Axial
  • Autres noms
    1086-2298
    1086-2298-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 150°C
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 220V 2A Through Hole
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    500nA @ 220V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    2A
  • Capacité à Vr, F
    10pF @ 10V, 1MHz

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6620".
JAN1N6490US

JAN1N6490US

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

La description: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

La description: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6622US

JAN1N6622US

La description: DIODE GEN PURP 660V 2A D5A

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

La description: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6621U

JAN1N6621U

La description: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

La description: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

La description: TVS DIODE 14CDIP

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

La description: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

La description: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

La description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

La description: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.