JAN2N3767

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N3767
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 80V 4A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N3767.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 100mA, 1A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-66 (TO-213AA)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/518
Puissance - Max

25W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-213AA, TO-66-2
Autres noms

1086-20915
1086-20915-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 25W Surface Mount TO-66 (TO-213AA)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

4A

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN2N3767".

JAN2N3811L

La description: TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

Fabricant: Microsemi

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