JAN2N3811

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N3811
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N3811.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA
Transistor Type

2 PNP (Dual)
Package composant fournisseur

TO-78-6
Séries

Military, MIL-PRF-19500/336
Puissance - Max

350mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-78-6 Metal Can
Autres noms

1086-2359
1086-2359-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN2N3811".

JAN2N3749

La description: TRANS NPN 80V 5A TO111

Fabricant: Microsemi

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