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JAN2N6898

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N6898
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

200 mOhm @ 15.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-204AA, TO-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

P-Channel 100V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

25A (Tc)

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JAN2N6987

La description: TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

Fabricant: Microsemi

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