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JAN2N6989

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN2N6989
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN2N6989.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Transistor Type
    4 NPN (Quad)
  • Package composant fournisseur
    TO-116
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/559
  • Puissance - Max
    1.5W
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    14-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Autres noms
    1086-2366
    1086-2366-MIL
  • Température de fonctionnement
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    23 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 50V 800mA 1.5W Through Hole TO-116
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    10µA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    800mA

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La description: MOSFET N-CH TO-254AA

Fabricant: Microsemi
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RFQ
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JAN2N6849U

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La description: MOSFET P-CH 18-LCC

Fabricant: Microsemi
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JAN2N6802

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Fabricant: Microsemi
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JAN2N7225

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La description: MOSFET N-CH TO-254AA

Fabricant: Microsemi
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RFQ
JAN2N6898

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Fabricant: Microsemi
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JAN2N720A

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Fabricant: Microsemi
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