Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JANS1N6761UR-1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3884966JANS1N6761UR-1 imageMicrosemi Corporation

JANS1N6761UR-1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JANS1N6761UR-1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Schottky
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1A
  • Tension - Ventilation
    -
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/586
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    70pF @ 5V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Autres noms
    1086-16036
    1086-16036-MIL
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    JANS1N6761UR-1
  • Description élargie
    Diode Schottky 100V 1A Surface Mount
  • Configuration diode
    100µA @ 100V
  • La description
    DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    380mV @ 100mA
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    100V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 150°C
JANS1N6662US

JANS1N6662US

La description: DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
JANS2N2857UB-LC

JANS2N2857UB-LC

La description: TRANS NPN 15V TH

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS2N2222A

JANS2N2222A

La description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS2N2221AUBC

JANS2N2221AUBC

La description: NPN TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N938BUR-1

JANS1N938BUR-1

La description: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6661US

JANS1N6661US

La description: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
JANS1N6636US

JANS1N6636US

La description: DIODE ZENER 4.7V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6642U

JANS1N6642U

La description: DIODE SWITCHING D-5D

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N938B-1

JANS1N938B-1

La description: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6661

JANS1N6661

La description: DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
JANS2N2369AUB

JANS2N2369AUB

La description: TRANS NPN 15V SMD

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N941B-1

JANS1N941B-1

La description: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N943BUR-1

JANS1N943BUR-1

La description: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS2N2222AUBC

JANS2N2222AUBC

La description: NPN TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6677UR-1

JANS1N6677UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
JANS1N6640

JANS1N6640

La description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6632US

JANS1N6632US

La description: DIODE ZENER 3.6V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6638

JANS1N6638

La description: DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS1N6642

JANS1N6642

La description: DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Fabricant: Microsemi
En stock
JANS2N2369AUBC

JANS2N2369AUBC

La description: NPN TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter