Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JANS1N6661
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2519220

JANS1N6661

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JANS1N6661
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JANS1N6661.pdf
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    500mA
  • Tension - Ventilation
    DO-35
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/587
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Autres noms
    1086-16017
    1086-16017-MIL
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    JANS1N6661
  • Description élargie
    Diode Standard 225V 500mA Through Hole DO-35
  • Configuration diode
    50nA @ 225V
  • La description
    DIODE GEN PURP 225V 500MA AXIAL
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1V @ 400mA
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    225V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JANS1N6661".
JANS1N938B-1

JANS1N938B-1

La description: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N941B-1

JANS1N941B-1

La description: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6661US

JANS1N6661US

La description: DIODE GEN PURP 225V 500MA D5D

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANS1N6642

JANS1N6642

La description: DIODE GEN PURP 75V 300MA DO204AH

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6490

JANS1N6490

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N943BUR-1

JANS1N943BUR-1

La description: DIODE ZENER 12.28V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6490US

JANS1N6490US

La description: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6491US

JANS1N6491US

La description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6640

JANS1N6640

La description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO204AH

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6642U

JANS1N6642U

La description: DIODE SWITCHING D-5D

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6662US

JANS1N6662US

La description: DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANS2N2222A

JANS2N2222A

La description: TRANS NPN 50V 0.8A TO-18

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6636US

JANS1N6636US

La description: DIODE ZENER 4.7V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6491CUS

JANS1N6491CUS

La description: DIODE ZENER 5.6V 1.5W D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6677UR-1

JANS1N6677UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANS2N2221AUBC

JANS2N2221AUBC

La description: NPN TRANSISTOR

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6632US

JANS1N6632US

La description: DIODE ZENER 3.6V 5W D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6638

JANS1N6638

La description: DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N938BUR-1

JANS1N938BUR-1

La description: DIODE ZENER 9V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANS1N6761UR-1

JANS1N6761UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO41

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.