Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JANTXV1N5802US
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
92978JANTXV1N5802US imageMicrosemi

JANTXV1N5802US

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JANTXV1N5802US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 50V 1A D5A
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JANTXV1N5802US.pdf
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    875mV @ 1A
  • Tension - inverse (Vr) (max)
    50V
  • Package composant fournisseur
    D-5A
  • La vitesse
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    25ns
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, A
  • Autres noms
    1086-2839
    1086-2839-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    -65°C ~ 175°C
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Type de diode
    Standard
  • Description détaillée
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount D-5A
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1µA @ 50V
  • Courant - Rectifié moyenne (Io)
    1A
  • Capacité à Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26

La carte graphique NVIDIA RTX 5090 a une zone GPU de 744 mm...

2024/11/25

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV1N5802US".
JANTXV1N5711UR-1

JANTXV1N5711UR-1

La description: DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO213AA

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5807

JANTXV1N5807

La description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5712UBCC

JANTXV1N5712UBCC

La description: SCHOTTKY DIODE

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5804

JANTXV1N5804

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5807US

JANTXV1N5807US

La description: DIODE GEN PURP 50V 3A D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5804US

JANTXV1N5804US

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5809

JANTXV1N5809

La description: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5654A

JANTXV1N5654A

La description: TVS DIODE 64.1V 103V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5768

JANTXV1N5768

La description: TVS DIODE 10CFP

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JANTXV1N5804URS

JANTXV1N5804URS

La description: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5806URS

JANTXV1N5806URS

La description: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5807URS

JANTXV1N5807URS

La description: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5806US

JANTXV1N5806US

La description: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5772

JANTXV1N5772

La description: TVS DIODE 10CFLATPACK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5802

JANTXV1N5802

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5711-1

JANTXV1N5711-1

La description: DIODE SCHOTTKY 50V 33MA DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5774

JANTXV1N5774

La description: TVS DIODE 14CFLATPACK

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5806

JANTXV1N5806

La description: DIODE GEN PURP 150V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5802URS

JANTXV1N5802URS

La description: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JANTXV1N5665A

JANTXV1N5665A

La description: TVS DIODE 171V 274V DO13

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.