JANTXV1N649-1

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV1N649-1
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV1N649-1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

400mA
Tension - Ventilation

DO-35
Séries

Military, MIL-PRF-19500/240
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms

1086-15996
1086-15996-MIL
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANTXV1N649-1
Description élargie

Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35
Configuration diode

50nA @ 600V
La description

DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Courant - fuite, inverse à Vr

1V @ 400mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

600V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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JANTXV1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi

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